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英特尔推出完全集成在硅晶圆上的八波长DFB激光阵列

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-06-30 12:29:22
导读

    近日,英特尔宣布推出了一种完全集成在硅晶圆上的八波长分布式反馈(DFB)激光阵列,其输出功率均匀度为0.25分贝(dB),波长间距均匀度为6.5%,参数性能均超过行业标准。    该公司表示,通过使用相同的光刻技术,在严格的过程控制下制造300mm硅晶圆,这一创新标志着在大容量CMOS晶圆厂的激光制造能力的重大飞跃。

    近日,英特尔宣布推出了一种完全集成在硅晶圆上的八波长分布式反馈(DFB)激光阵列,其输出功率均匀度为±0.25分贝(dB),波长间距均匀度为±6.5%,参数性能均超过行业标准。
 

    该公司表示,通过使用相同的光刻技术,在严格的过程控制下制造300mm硅晶圆,这一创新标志着在大容量CMOS晶圆厂的激光制造能力的重大飞跃。该技术在保证光源波长分离一致的同时,保证了输出功率的均匀性,满足了光计算互连和密集波分复用(DWDM)通信的要求。
 

    这是英特尔研究院在集成光电研究领域取得的又一重大进展,或将为下一代光电共封装和光互连器件的量产提供一条清晰的路径。
 

    值得一提的是,最新的使用密集波分复用(DWDM)技术的共封装光学解决方案,展现了在增加带宽的同时显著缩小光子芯片尺寸的前景。然而,英特尔指出,要生产具有均匀波长间距和功率的DWDM光源仍然非常困难。
 

    这些激光阵列需要三个组成部分:第一个是增益,以及提供分布式反馈的III-V元件。其次是III-V结构的泵。第三个部分是光栅结构,它定义了激光器的波长及其节距波长输出。
 

    据介绍,八波长DFB激光阵列的制造,采用了与批量生产光收发器相同的工艺。具体而言,在这项研究中英特尔使用了先进的光刻技术,以在III-V族晶圆键合制程前完成硅片中波导光栅的配置。与在3英寸或4英寸III-V晶圆厂制造的传统半导体激光器相比,这种技术带来了更好的波长均匀性。此外,由于激光器的紧密集成,当环境温度发生变化时,阵列也能保持其通道间距。
 

    英特尔表示,这一进步将使光源的生产具有未来大容量应用所需的性能,如共封装光学和光计算互连等方面。它将用于新兴的网络密集型工作负载,包括人工智能(AI)和机器学习(ML)。使用光互连的下一代计算输入/输出(I/O),可以为未来这些高带宽工作负载的极端需求而量身定制。
 

    据悉,该激光器阵列基于英特尔的300mm硅光子学制造工艺,具有大规模制造和广泛部署的潜力。该技术的许多方面正经由英特尔的硅光子学产品部(Silicon Photonics Products Division)落地实施,作为未来光计算互连芯片式产品的一部分。英特尔表示,即将推出的产品将提供低功耗、高性能、太比特每秒(multi-terabits per second)的计算资源之间的互连,包括CPU、GPU和内存。

 
(文/小编)
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