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  • 电话:0755-22670439
  • 传真:0755-86329521
  • 经营范围:SiC碳化硅MOSFET|OBC SiC MOSFET|DC-DC SiC MOSFET|组串逆变器SiC MOSFET|UPS SiC MOSFET|OBC SiC二极管|ESS储能逆变器 SiC MOSFET|SiC碳化硅衬底外延|SiC碳化硅|SiC碳化硅模块|SiC碳化硅功率器件|SiC碳化硅肖特基二极管|SiC碳化硅MOSFET|basicsemi|第三代半导体|基本半导体|碳化硅(SiC) MOSFET 裸芯片|替代单管IGBT|碳化硅 MOSFET 单管|BASiC Semiconducto
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深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业领军企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括来自清华大学、剑桥大学、瑞典皇家理工学院、中国科学院等国内外知名高校及研究机构的十多位博士。

       基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试,其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制等领域。

       基本半导体与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心,是深圳第三代半导体研究院发起单位之一,广东省未来通信高端器件创新中心股东单位之一,获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体... [详细介绍]
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