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消息称SK海力士美国芯片封装厂明年第一季度破土动工

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-08-12 16:21:48
导读

8月12日消息,据国外媒体报道,两位知情人士称,韩国芯片制造商SK海力士计划在美国建设一家先进的芯片封装工厂,该工厂将于明年第一季度破土动工。 其中一名消息人士称,该工厂预计将耗资“数十亿美元”,到2025-2026年将实现量产,并将雇用约1000名工人。 本周二上午,美国总统拜登签署了《芯片与科学法案》,该法案包括为

8月12日消息,据国外媒体报道,两位知情人士称,韩国芯片制造商SK海力士计划在美国建设一家先进的芯片封装工厂,该工厂将于明年第一季度破土动工。
       其中一名消息人士称,该工厂预计将耗资“数十亿美元”,到2025-2026年将实现量产,并将雇用约1000名工人。
      本周二上午,美国总统拜登签署了《芯片与科学法案》,该法案包括为美国半导体研发、制造以及劳动力发展提供527亿美元;为在美国投资芯片工厂的公司提供25%的税收抵免优惠;提供数百亿美元用于资助科学研究和发展,并刺激美国其他技术的创新和发展。
       据悉,该法案于今年7月26日上午在参议院程序性投票环节中获得通过。然后在7月28日,美国众议院通过了该法案。消息人士称,研发机构和芯片封装工厂都有资格获得该法案提供的资金。
       尽管SK海力士的美国芯片封装厂将于明年第一季度破土动工,但该公司将无限期推迟其在韩国的一座存储芯片工厂的扩建计划。
       据悉,该公司决定推迟扩建的工厂是其此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂,该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设,预计最早于2025年完工。
       外媒报道称,该芯片制造商之所以决定推迟扩建计划,可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。

 
(文/Techweb)
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